一類半導體檢測工藝目的：主要是對工藝過程中半導體體內、表面和附加其上的介質膜、金屬膜、多晶硅等結構的特性進行物理、化學和電學等性質的測定。其中許多檢測方法是半導體工藝所特有的。

二類半導體檢測工藝目的：主要是對半導體工藝的條件與環境進行廣泛、及時和有效的監控，因而其內容更加廣泛繁雜。有些檢測項目和方法也非半導體工藝所特有。隨著半導體工藝的不斷發展，半導體工業的原材料和輔助材料的生產和供應、工藝設備和生產環境的管理等，更加趨向于專業化和標準化。其檢測方法更加緊密結合半導體工藝的要求。

半導體檢測工藝的目的不只是搜集數據，更重要的是要把不斷產生的大量檢測數據及時整理分析，不斷發現生產過程中存在的問題，向工藝控制反饋，使之不致偏離正常的控制條件。因而對大量檢測數據的科學管理，保障其能夠得到準確和及時的處理。